300mm SiC単結晶基板の開発に成功。大口径化で研削・研磨はどう変わる？

株式会社レゾナックは2026年9月15日、直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長および基板加工に成功したと発表しました。

現在主流の150mm（6インチ）に対して直径は2倍。
同社では200mm（8インチ）のSiCエピウェハーもすでに出荷しており、今回開発した300mm SiC単結晶基板は、現在開発が進められているSiC基板として世界最大級としています。

SiC（炭化ケイ素）は、EVなどに使われるパワー半導体材料として知られています。
さらに高い熱伝導率を生かし、AI・HPC向けの放熱基板や先端パッケージ基板としての活用も期待されています。

300mm化で加工面積は約4倍に

150mmから300mmになると直径は2倍ですが、加工面積は約4倍になります。
SiCは非常に硬く、加工難度の高い材料です。

大口径化が進むことで、研削・ラッピング・研磨・CMPなどの加工工程においても、ウエハー全面の平坦度やTTV（Total Thickness Variation）、反り・うねり、加工ダメージ、面内の加工均一性など、さまざまな技術課題が重要になってくると考えられます。

研削研磨の視点では「大口径SiCの加工」に注目

今回の発表では、レゾナック社が単結晶の成長だけでなく「基板加工」まで成功したことが明記されています。
一方、具体的な研削・研磨方法や加工条件については公表されていません。

技術として注目したいのは、今後300mmクラスのSiC基板が実用化・量産化へ進んだ際、研削・研磨工程にどのような技術が求められていくのかという点です。

海外でも300mm SiC基板の開発が進められており、SiCの大口径化は今後も注目したいテーマです。

「SiCの300mm化」とともに、「大口径SiCをどのように削り、どのように磨くのか」。

この大きさだと枚葉式で行うのかと思いますが、個人的にはバッチ式も夢があります。
超大型機でバンバン量産する…
これだけ大きいと平行度、平坦度も難しいですよね。

株式会社レゾナック｜2026年9月15日
次世代エレクトロニクス材料300mm SiC単結晶基板の開発に成功

Coherent Corp.｜2026年8月17日
300mm High Thermal Conductivity Silicon Carbide Substrates for AI Infrastructure