事例3 サファイア基板の加工例
 |
|
| 従来の工法 | ||
| ：4工程 | ||
| ：220分 | ||
| 新工法（分割工具を使用） | ||
| ：4工程 | ||
| ：180分 | ||
| 【導入効果】 | |
| （1）40分のリードタイム削減によるコストダウン （2）精度管理が容易になり、品質向上に貢献 |
|
| ※略語説明 | |||
| ... | サファイア基板上にシリコン薄膜を形成した基板。SOS は silicon on sapphire の略。 | ||
| ... | 単結晶基板上に半導体層・発光層・保護膜等を積み上げた基板。LED は Light-emitting diode の略。 | ||
